Datasheet IXFV110N10PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

Купить IXFV110N10PS на РадиоЛоцман.Цены — от 296 до 393 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
AiPCBA Весь мир	IXFV110N10P IXYS	393 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFV110N10PS IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV110N10P	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFV110N10P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
IXFH 110N10P IXFV 110N10P IXFV 110N10PS
VDSS = 100 V ID25 = 110 A RDS(on) 15 m trr 150 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 110 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 15 МОм
• Корпус транзистора: PLUS220
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.31°C/W
• N-channel Gate Charge: 110nC
• Тип корпуса: PLUS220
• Power Dissipation Pd: 480 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс

RoHS: есть