Datasheet IXFV110N10PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

IXYS IXFV110N10PS

Наименование модели: IXFV110N10PS

Купить IXFV110N10PS на РадиоЛоцман.Цены — от 436 до 471 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков 15 mΩ Obsolete (Last Updated: 2 years ago) 480 W 150 ns 100 V
ЧипСити Россия	IXFV110N10P IXYS	436 ₽
AiPCBA Весь мир	IXFV110N10P IXYS	464 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IXFV110N10P IXYS	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV110N10P	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
IXFH 110N10P IXFV 110N10P IXFV 110N10PS
VDSS = 100 V ID25 = 110 A RDS(on) 15 m trr 150 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 110 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 15 МОм
Корпус транзистора: PLUS220
Количество выводов: 3
Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.31°C/W
N-channel Gate Charge: 110nC
Тип корпуса: PLUS220
Power Dissipation Pd: 480 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
Voltage Vds Typ: 100 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс

RoHS: есть