Datasheet IXFV16N80PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

IXYS IXFV16N80PS

Наименование модели: IXFV16N80PS

Купить IXFV16N80PS на РадиоЛоцман.Цены — от 421 до 449 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
ЧипСити Россия	IXFV16N80P IXYS	421 ₽
AiPCBA Весь мир	IXFV16N80P IXYS	445 ₽
Acme Chip Весь мир	IXFV16N80P IXYS	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV16N80P	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH 16N80P IXFT 16N80P IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
VDSS = 800 V ID25 = 16 A RDS(on) 600 m trr 250 ns
TO-247 (IXFH) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS IDM, di/dt 100 A/s, VDD VDSS TJ 150°C, RG = 5 TC = 25°C Maximum Ratings 800 800 ±30 ±40 16 40 8 30 1.0 10 V V V V A A A mJ J V/ns

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 16 А
Drain Source Voltage Vds: 800 В
On State Resistance: 600 МОм
Корпус транзистора: PLUS220
Количество выводов: 3
Capacitance Ciss Typ: 4000 пФ
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.27°C/W
N-channel Gate Charge: 70nC
Тип корпуса: PLUS220
Power Dissipation Pd: 460 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
Voltage Vds Typ: 800 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть