Datasheet IXFV18N60PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит
Наименование модели: IXFV18N60PS
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) PLUS 220 | |||
IXFV18N60PS IXYS | по запросу | ||
IXFV18N60PS IXYS | по запросу | ||
IXFV18N60P IXYS | по запросу | ||
IXFV18N60P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
IXFH 18N60P IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
VDSS
ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 400 МОм
- Корпус транзистора: PLUS220
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 2500 пФ
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.35°C/W
- N-channel Gate Charge: 50nC
- Тип корпуса: PLUS220
- Power Dissipation Pd: 360 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть