Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet IXUC100N055 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXUC100N055

Наименование модели: IXUC100N055

12 предложений от 10 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXUC100N055MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 55 V, 7.7 mohm, 10 V, 4 V
IXUC100N055
IXYS
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
IXUC100N055
IXYS
по запросу
ТаймЧипс
Россия
IXUC100N055TRENCHGATE
по запросу
Augswan
Весь мир
IXUC100N055
IXYS
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
IXUC100N055

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 7.7 МОм
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-220
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 22nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-220
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
  • Rth: 1

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXUC100N055 - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка