Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IXUC200N055 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXUC200N055

Наименование модели: IXUC200N055

5 предложений от 5 поставщиков
МОП-транзистор 200 Amps 55V 4 Rds
ЧипСити
Россия
IXUC200N055
IXYS
860 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXUC200N055
IXYS
915 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXUC200N055
IXYS
915 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IXUC200N055
IXYS
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
IXUC200N055

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 5.1 МОм
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-220
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 44nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-220
  • Power Dissipation Pd: 300 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
  • Rth: 0.5

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXUC200N055 - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России