Datasheet NTE2383 - NTE Electronics Даташит P CH полевой транзистор, -100 В, 10.5 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2383 на РадиоЛоцман.Цены — от 190 до 82 214 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков MOSFET P-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
AllElco Electronics Весь мир	NTE2383	от 190 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTE2383 NTE Electronics	401 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2383 NTE Electronics	552 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2383	82 214 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: P CH полевой транзистор, -100 В, 10.5 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2383 MOSFET P­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
Description: The NTE2383 is a MOS power P­Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Lower RDS(ON) D Improved Inductive Ruggedness D Fast Switching Times D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure D Lower Input Capacitance D Extended Safe Operating Area D Improved High Temperature Reliability Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage (Note 1), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . .

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB