Datasheet NTE2383 - NTE Electronics Даташит P CH полевой транзистор, -100 В, 10.5 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2383 на РадиоЛоцман.Цены — от 637 до 94 845 ₽ 16 предложений от 8 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -7,5А; Idm: -42А; 75Вт; TO220
ЧипСити Россия	NTE2383 NTE Electronics	637 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2383 NTE Electronics	678 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2383 NTE Electronics	от 2 080 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE2383	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: P CH полевой транзистор, -100 В, 10.5 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2383 MOSFET P­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
Description: The NTE2383 is a MOS power P­Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Lower RDS(ON) D Improved Inductive Ruggedness D Fast Switching Times D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure D Lower Input Capacitance D Extended Safe Operating Area D Improved High Temperature Reliability Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage (Note 1), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . .

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB