Datasheet FDV302P-MR - Fairchild Даташит Полевой транзистор, цифровой FDV302P MINIREEL 500PCS — Даташит

Наименование модели: FDV302P-MR
Купить FDV302P на РадиоЛоцман.Цены — от 2.65 до 171 ₽48 предложений от 29 поставщиков MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23. P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| FDV302P ON Semiconductor | от 21 ₽ | ||
| FDV302P_D87Z Fairchild | по запросу | ||
| FDV302P Fairchild | по запросу | ||
| FDV302P-NL/302 Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, цифровой FDV302P MINIREEL 500PCS
Краткое содержание документа:
October 1997
FDV302P Digital FET, P-Channel
General Description
This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On State Resistance: 13 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Temperature: 25°C
- ESD HBM: 6 кВ
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
- Power Dissipation Pd: 350 мВт
- Pulse Current Idm: 500 мА
- Reel Diameter: 100 мм
- Количество приборов в упаковке (ленте): 500
- SMD Marking: 302
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE901
Варианты написания:
FDV302PMR, FDV302P MR

Купить FDV302P на РадиоЛоцман.Цены




