Datasheet IXFH22N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH22N60P
 Купить IXFH22N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 1 059 ₽42 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 22 А, 0.39 Ом, TO-247, Through Hole | |||
| IXFH22N60P IXYS | 402 ₽ | ||
| IXFH22N60P IXYS | 413 ₽ | ||
| IXFH22N60P IXYS | от 463 ₽ | ||
| IXFH22N60P | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
IXFH 22N60P IXFV 22N60P IXFV 22N60PS
VDSS = 600 V ID25 = 22 A RDS(on) 350 m trr 200 ns
TO-247 (IXFH) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Plastic body for 10 s Mounting torque Mounting Force (TO-247) (PLUS220) Test Conditions TJ = 25° C to 150° C TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 M Continuous Tranisent TC = 25° C TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 600 600 ±30 ±40 22 66 22 40 1.0 20 400 -55 ...
+150 150 -55 ... +150 300 260 V V V V A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 22 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 350 МОм
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 3600 пФ
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.31°C/W
- N-channel Gate Charge: 58nC
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 400 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - WLK 5
