Datasheet IXFN82N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN82N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 648 до 8 085 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; Ugs: ±40В; 1040Вт
ChipWorker Весь мир	IXFN82N60P Littelfuse	2 205 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXFN82N60P IXYS	3 124 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFN82N60P Littelfuse	от 5 107 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFN82N60P IXYS	от 6 213 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 82N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 82 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 750 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 23000 пФ
• Current Id Max: 72 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 1.04 кВт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• SCHRODER - 20900