Datasheet IXFN82N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN82N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 639 до 8 085 ₽ 21 предложений от 13 поставщиков , Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
AllElco Electronics Весь мир	IXFN82N60P IXYS	от 778 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN82N60P IXYS	от 2 074 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFN82N60P Littelfuse	от 4 597 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFN82N60P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 82N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 82 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 750 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 23000 пФ
• Current Id Max: 72 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 1.04 кВт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• SCHRODER - 20900