Datasheet IXFT96N20P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит
Наименование модели: IXFT96N20P
![]() 28 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 96А; 600Вт; TO268 | |||
IXFT96N20P IXYS | 425 ₽ | ||
IXFT96N20P IXYS | от 525 ₽ | ||
IXFT96N20P IXYS | от 1 421 ₽ | ||
IXFT96N20P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-268
Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 96N20P IXFT 96N20P IXFV 96N20P
VDSS ID25
RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 96 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-268
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 4800 пФ
- Current Id Max: 96 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
- N-channel Gate Charge: 145nC
- Тип корпуса: TO-268
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A