Datasheet IXFV30N60PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

Купить IXFV30N60PS на РадиоЛоцман.Цены — от 409 до 557 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
AiPCBA Весь мир	IXFV30N60P IXYS	557 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV30N60P	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFV30N60P IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXFV30N60PS IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH 30N60P IXFT 30N60P IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
VDSS = 600 V ID25 = 30 A RDS(on) 240 m trr 200 ns
PLUS220 (IXFV) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Plastic body for 10 s Mounting torque Mounting force TO-247 TO-268 PLUS220 (TO-247) (PLUS220) Test Conditions TJ = 25° C to 150° C TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 600 600 ±30 ±40 30 80 30 50 1.5 20 500 -55 ...

+150 150 -55 ... +150 300 260 V V V V A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 240 МОм
• Корпус транзистора: PLUS220
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 4000 пФ
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
• N-channel Gate Charge: 82nC
• Тип корпуса: PLUS220
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть