Datasheet IXKC20N60C - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит
Наименование модели: IXKC20N60C
![]() 22 предложений от 14 поставщиков CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | |||
IXKC20N60C IXYS | 407 ₽ | ||
IXKC20N60C IXYS | от 538 ₽ | ||
IXKC20N60C IXYS | 862 ₽ | ||
IXKC20N60C IXYS | от 1 829 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
Краткое содержание документа:
CoolMOSTM Power MOSFET IXKC 20N60C in ISOPLUS220TM Package
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), Superjunction MOSFET Preliminary Data Sheet
VDSS = 600 V ID25 = 14 A RDS(on) = 190 m
Symbol VDSS VGS ID25 ID90 ID(RMS) EAS EAR PD TJ TJM Tstg TL VISOL FC Weight
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 190 МОм
- Корпус транзистора: ISOPLUS-220
- Capacitance Ciss Typ: 3000 пФ
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 79nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-220
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.9 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 610 нс
- Rth: 1
RoHS: есть