Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит

IXYS IXTY1R4N60P

Наименование модели: IXTY1R4N60P

7 предложений от 7 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin(2+Tab) TO-252AA
ChipWorker
Весь мир
IXTY1R4N60P
IXYS
20 ₽
Maybo
Весь мир
IXTY1R4N60P
IXYS
38 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXTY1R4N60P
IXYS
58 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTY1R4N60P
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 9 Ом
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 140 пФ
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.5°C/W
  • N-channel Gate Charge: 5.2nC
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 50 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
  • Тип транзистора: General Purpose
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 500 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS MOSFET, N, D-PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка