Datasheet IXUC120N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит
Наименование модели: IXUC120N10
Trench Power MOSFET ISOPLUS220 | |||
IXUC120N10 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
Краткое содержание документа:
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET IXUC 120N10
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
VDSS = 100 V ID25 = 120 A RDS(on) = 9.5 m
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 9.5 МОм
- Корпус транзистора: ISOPLUS-220
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 36nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-220
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
- Rth: 0.5
RoHS: есть