Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IXUC120N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXUC120N10

Наименование модели: IXUC120N10

LifeElectronics
Россия
IXUC120N10
IXYS
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET IXUC 120N10
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
VDSS = 100 V ID25 = 120 A RDS(on) = 9.5 m

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 9.5 МОм
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-220
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 36nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-220
  • Power Dissipation Pd: 300 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
  • Rth: 0.5

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXUC120N10 - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России