Datasheet 2N7002 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.3 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002
![]() 96 предложений от 41 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,115Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1000Емкость, пФ:... | |||
2N7002 STMicroelectronics | от 0.22 ₽ | ||
2N7002-LT1 ON Semiconductor | от 2.45 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ 2N7002 ON Semiconductor | 9.00 ₽ | ||
2N7002-T1 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.3 А, SOT23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 300 мА
- Маркировка: 12%
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -65°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 150 °C/Вт
- Тип корпуса: SOT-23
- Pulse Current Idm: 1.2 А
- Storage Temperature Max: 150°C
- Storage Temperature Min: -65°C
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
RoHS: есть