Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet BFR31,215 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CHAN 25 В SOT-23 — Даташит

NXP BFR31,215

Наименование модели: BFR31,215

16 предложений от 15 поставщиков
транзистор характеристики, Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 10mA; 0.25W(1/4W); SOT23
AllElco Electronics
Весь мир
BFR31,215
NXP
по запросу
BFR31.215
STMicroelectronics
по запросу
Maybo
Весь мир
BFR31,215
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
BFR31,215
NXP
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CHAN 25 В SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFR30; BFR31 N-channel field-effect transistors
Product specification Supersedes data of April 1991 1997 Dec 05
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 10 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 250 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 25 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BFR31215, BFR31 215

На английском языке: Datasheet BFR31,215 - NXP MOSFET N-CHAN 25 V SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка