ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BSH103.215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K — Даташит

NXP BSH103.215

Наименование модели: BSH103.215

45 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 850 мА, 0.4 Ом, TO-236AB, Surface Mount
IRLML2803 (Philips-BSH103,215)
Philips
2.33 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSH103,215
NXP
5.47 ₽
BSH103,215
Nexperia
от 13 ₽
ТаймЧипс
Россия
BSH103@215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D088
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 850 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 500 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 750 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 920 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 500 мВт
  • Pulse Current Idm: 3.4 А
  • Количество приборов в упаковке (ленте): 3000
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSH103.215 - NXP MOSFET, N, SOT-23 REEL 3K

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России