Datasheet BSH103.215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K — Даташит
Наименование модели: BSH103.215
Купить BSH103.215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.33 до 162 ₽ 45 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 850 мА, 0.4 Ом, TO-236AB, Surface Mount | |||
IRLML2803 (Philips-BSH103,215) Philips | 2.33 ₽ | ||
BSH103,215 NXP | 5.47 ₽ | ||
BSH103,215 Nexperia | от 13 ₽ | ||
BSH103@215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D088
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 850 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 500 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ
- Рассеиваемая мощность: 750 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 920 мА
- Current Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 500 мВт
- Pulse Current Idm: 3.4 А
- Количество приборов в упаковке (ленте): 3000
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
RoHS: есть