Клеммы, реле, разъемы Degson со склада и на заказ

Datasheet BSH105,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.05 А, SOT23 — Даташит

NXP BSH105,215

Наименование модели: BSH105,215

52 предложений от 22 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
BSH105,215
Nexperia
от 14 ₽
ICdarom.ru
Россия
BSH105,215
Nexperia
от 14 ₽
BSH105,215
Nexperia
от 27 ₽
SUV System
Весь мир
BSH105,215
Nexperia
по запросу
АЦП азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.05 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 600 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 200 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 570 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 417 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 1.05 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 570 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH105215, BSH105 215

На английском языке: Datasheet BSH105,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 1.05 A, SOT23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка