Datasheet BSH105,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.05 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: BSH105,215
![]() 46 предложений от 20 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,67А; 417мВт; SOT23,TO236AB | |||
BSH105,215 Nexperia | от 2.68 ₽ | ||
BSH105,215 Nexperia | от 16 ₽ | ||
BSH105,215 Nexperia | 24 ₽ | ||
BSH105.215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.05 А, SOT23
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 600 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 570 мВ
- Рассеиваемая мощность: 417 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 1.05 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 570 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH105215, BSH105 215