Datasheet BSH108,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH108,215
![]() 43 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.9 А, 0.077 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
BSH108,215 NXP | 18 ₽ | ||
BSH108,215 NXP | 34 ₽ | ||
BSH108.215 NXP | по запросу | ||
BSH108215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
BSH108
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
02 -- 25 October 2000
M3D088
Product specification
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 77 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Полярность транзистора: N Channel
- RoHS: да
Варианты написания:
BSH108215, BSH108 215