Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet BSH108,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH108,215

Наименование модели: BSH108,215

43 предложений от 22 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.9 А, 0.077 Ом, SOT-23, Surface Mount
ChipWorker
Весь мир
BSH108,215
NXP
18 ₽
ЧипСити
Россия
BSH108,215
NXP
34 ₽
LifeElectronics
Россия
BSH108.215
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BSH108215
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH108
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 25 October 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 77 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Полярность транзистора: N Channel
  • RoHS: да

Варианты написания:

BSH108215, BSH108 215

На английском языке: Datasheet BSH108,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.9 A, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка