Источники питания KEEN SIDE

Datasheet BSH108,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH108,215

Наименование модели: BSH108,215

42 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.9 А, 0.077 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSH108,215
Nexperia
от 14 ₽
Эиком
Россия
BSH108,215
Nexperia
от 16 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSH108,215
по запросу
ТаймЧипс
Россия
BSH108,215-XYZ
NXP
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH108
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 25 October 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 77 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Полярность транзистора: N Channel
  • RoHS: да

Варианты написания:

BSH108215, BSH108 215

На английском языке: Datasheet BSH108,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.9 A, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка