Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSH108,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH108,215

Наименование модели: BSH108,215

54 предложений от 28 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23. N-Channel 30V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Microfind
Россия
BSH108,215
Nexperia
9.66 ₽
BSH108@215
NXP
по запросу
BSH108,215
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BSH108,215
Nexperia
по запросу
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH108
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 25 October 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 77 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Полярность транзистора: N Channel
  • RoHS: да

Варианты написания:

BSH108215, BSH108 215

На английском языке: Datasheet BSH108,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.9 A, 3-SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка