Datasheet BSH111 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить BSH111 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.30 до 20 ₽ 40 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 210 мА, 2.3 Ом, SOT-23, Surface Mount
Триема Россия	BSH111,215 Nexperia	7.00 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSH111TR-CT NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	BSH111/WK3 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BSH111,235 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 335 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 335 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pulse Current Idm: 1.3 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.3 В

RoHS: есть