Datasheet BSH111 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить BSH111 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.29 до 34 ₽ 44 предложений от 27 поставщиков MOSFET N-CH 55V SOT-23. N-Channel 55V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SUV System Весь мир	BSH111,215 Nexperia	по запросу	Купить
Контест Россия	BSH111 NXP	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSH111BKR	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSH111BK Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 335 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 335 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pulse Current Idm: 1.3 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.3 В

RoHS: есть