Datasheet BSH111 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH111
Купить BSH111 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.48 до 11 ₽ 50 предложений от 24 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 210 мА, 2.3 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
BSH111BKR NXP | 1.48 ₽ | ||
BSH111BK215 NXP | 1.63 ₽ | ||
BSH111BKR NXP | от 11 ₽ | ||
BSH111,235 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 335 мА
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 335 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Pulse Current Idm: 1.3 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 55 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.3 В
RoHS: есть