LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet BSH111 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

NXP BSH111

Наименование модели: BSH111

50 предложений от 24 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 210 мА, 2.3 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSH111BKR
NXP
1.48 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSH111BK215
NXP
1.63 ₽
ЭИК
Россия
BSH111BKR
NXP
от 11 ₽
BSH111,235
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH111
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 26 April 2002
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 335 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 2.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 830 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 335 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pulse Current Idm: 1.3 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Max: 10 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.3 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSH111 - NXP MOSFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России