Datasheet BSH112,235 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23 — Даташит

Купить BSH112,235 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.58 до 49 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков N-channel enhancement mode field-effect transistor
Lixinc Electronics Весь мир	BSH112,235 NXP	1.58 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSH112,235 NXP	49 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	BSH112.235 NXP	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	BSH112@235 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

01 -- 25 August 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 300 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 75 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH112235, BSH112 235