Datasheet BSH114,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.85 А, SOT-23 — Даташит

Купить BSH114,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 91 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 500 мА, 0.4 Ом, SOT-23, Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	BSH114.215 Nexperia	14 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSH114,215-CUT TAPE NXP	14 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	BSH114,215 Nexperia	от 71 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	BSH114@215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.85 А, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH114
N-channel enhancement mode field effect transistor
Rev.

01 -- 09 November 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 500 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 830 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 850 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 130 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH114215, BSH114 215