Datasheet BSH121,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 300 мА, SOT323 — Даташит

Купить BSH121,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.90 до 21 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Компонентс Ру Россия	BSH121,135 NXP	19 ₽	Купить
Эиком Россия	BSH121,135 NXP	21 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	BSH121.135 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSH121,135 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 300 мА, SOT323

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH121
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

01 -- 14 August 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSH121 in SOT323.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Рассеиваемая мощность: 700 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-323
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 300 мА
• Тип корпуса: SOT-323
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 75 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH121135, BSH121 135