Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet BSH201,215 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23 — Даташит

NXP BSH201,215

Наименование модели: BSH201,215

44 предложений от 20 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 160 мА, 2.1 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSH201,215
NXP
2.67 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSH201,215
NXP
5.46 ₽
BSH201.215 NEX-NXP SOT23
Nexperia
от 17 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ BSH201.215 SMD
NXP
39 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -160 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 2.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
  • Рассеиваемая мощность: 417 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: -300 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -60 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.9 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH201215, BSH201 215

На английском языке: Datasheet BSH201,215 - NXP MOSFET P-CH 60 V 300 mA SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России