Datasheet BSH201,215 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH201,215
Купить BSH201,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.67 до 162 ₽ 44 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 160 мА, 2.1 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
BSH201,215 NXP | 2.67 ₽ | ||
BSH201,215 NXP | 5.46 ₽ | ||
BSH201.215 NEX-NXP SOT23 Nexperia | от 17 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ BSH201.215 SMD NXP | 39 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -160 мА
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 2.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.9 В
- Рассеиваемая мощность: 417 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -300 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: 1.9 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH201215, BSH201 215