Клеммные колодки Keen Side

Datasheet BSH205 - NXP Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

NXP BSH205

Наименование модели: BSH205

23 предложений от 22 поставщиков
MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB / P-Channel 12 V 750mA (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
727GS
Весь мир
BSH205,215
NXP
от 2.75 ₽
BSH205,215
NXP
43 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSH205,215
по запросу
BSH205 T/R
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 750 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On State Resistance: 400 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: -8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: -750 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 2.5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.12 мм
  • Внешняя ширина: 3.05 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 500 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 417 мВт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 417 мВт
  • Pulse Current Idm: 3 А
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 680 мВ
  • Voltage Vds Typ: 12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th P Channel Min: 0.68 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • LICEFA - V11-7
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet BSH205 - NXP MOSFET, P, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка