Datasheet BSH205.215 - NXP Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 REEL 3K — Даташит

Купить BSH205.215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.64 до 43 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB / P-Channel 12 V 750mA (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Lixinc Electronics Весь мир	BSH205,215 NXP	14 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BSH205,215 NXP	14 ₽	Купить
МосЧип Россия	PH.BSH205,215	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSH205215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23 REEL 3K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 750 мА
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 400 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 680 мВ
• Рассеиваемая мощность: 417 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -750 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 500 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 417 мВт
• Pulse Current Idm: 3 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 3000
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 0.68 В

RoHS: есть