Datasheet BSH207,135 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 12 В 1.52 А SOT457 — Даташит
Наименование модели: BSH207,135
![]() 19 предложений от 16 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
BSH207,135 NXP | от 9.58 ₽ | ||
BSH207,135 NXP | по запросу | ||
BSH207135 NXP | по запросу | ||
BSH207,135 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 12 В 1.52 А SOT457
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
· Very low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -1 А
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On Resistance Rds(on): 120 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
- Рассеиваемая мощность: 417 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -1.52 А
- Тип корпуса: SOT-457
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -12 В
- Voltage Vgs Max: -600 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH207135, BSH207 135