Datasheet BSP030,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 10 А, SOT223 — Даташит

Купить BSP030,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 92 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков МОП-транзистор TAPE-7 МОП-транзистор
AiPCBA Весь мир	BSP030,115 NXP	61 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSP030,115 NXP	79 ₽	Купить
727GS Весь мир	BSP030,115 Nexperia	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSP030,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 10 А, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP030
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

04 -- 26 July 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSP030 in SOT223.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 8.3 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 10 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 43 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP030115, BSP030 115