Datasheet BSP110,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP110,115
Купить BSP110,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 284 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков NEXPERIA - BSP110,115 - MOSFET Transistor, N Channel, 150 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V RoHS Compliant: Yes... | |||
| BSP110,115 NXP | 57 ₽ | ||
| BSP110,115 NXP | 57 ₽ | ||
| BSP110.115 NXP | по запросу | ||
| BSP110,115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 0.52 А, SOT223
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSP110
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
03 -- 26 July 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM1 technology. Product availability: BSP110 in SOT223.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 150 мА
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 10 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 6.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 520 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 130 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP110115, BSP110 115
