Datasheet BSP130,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 300 В, 350 мА, SOT223 — Даташит

Купить BSP130,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 784 ₽ 35 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 250 мА, 6 Ом, SOT-223, Surface Mount
ICdarom.ru Россия	BSP130,115 Nexperia	от 450 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	BSP130,115 Nexperia	от 450 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSP130,115	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSP130,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 300 В, 350 мА, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
age
M3D087
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 250 мА
• Drain Source Voltage Vds: 300 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 350 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 300 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP130115, BSP130 115