Datasheet BSP220,115 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 200 В 225 мА SOT223 — Даташит

Купить BSP220,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.14 до 3 111 ₽ 42 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 200 В, 200 мА, 10 Ом, SOT-223, Surface Mount
ЗУМ-СМД Россия	BSP220,115 Hottech	2.14 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSP220.115 NXP	7.56 ₽	Купить
ЭИК Россия	BSP220,115 Nexperia	от 67 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	BSP220.115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор P-CH 200 В 225 мА SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP220 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b April 1995
Philips Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -200 мА
• Drain Source Voltage Vds: -200 В
• On Resistance Rds(on): 12 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
• Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -225 мА
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: -200 В
• Voltage Vgs Max: -2.8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSP220115, BSP220 115