Datasheet BSP225,115 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 250 В 225 мА SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP225,115
Купить BSP225,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 8 379 ₽ 39 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 200 мА, 10 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
BSP225,115 NXP | 12 ₽ | ||
BSP225.115 Nexperia | 24 ₽ | ||
BSP225.115 Nexperia | 57 ₽ | ||
BSP225,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 250 В 225 мА SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP225 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b April 1995
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -200 мА
- Drain Source Voltage Vds: -250 В
- On Resistance Rds(on): 15 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -225 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -250 В
- Voltage Vgs Max: -2.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP225115, BSP225 115