Datasheet BSP89,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 240 В, 375 мА, SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP89,115
![]() 48 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,375А; 1,5Вт; SC73,SOT223 | |||
BSP89,115-CUT TAPE NXP | 14 ₽ | ||
BSP89,115 NXP | 15 ₽ | ||
BSP89,115 Nexperia | от 37 ₽ | ||
BSP89,115 Nexperia | от 45 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 240 В, 375 мА, SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D087
BSP89 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 340 мА
- Drain Source Voltage Vds: 240 В
- On Resistance Rds(on): 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 373 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 240 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP89115, BSP89 115