Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSS123
![]() 88 предложений от 38 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2100Емкость, пФ:... | |||
BSS123 YJ SOT23 | от 0.93 ₽ | ||
BSS123 YJ SOT23 | от 0.93 ₽ | ||
BSS123 Jiangsu Changjing | 1.74 ₽ | ||
BSS123BOX Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 150 мА
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 150 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Pulse Current Idm: 600 мА
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.8 В
RoHS: есть