Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 — Даташит

Купить BSS123 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.09 до 65 ₽ 88 предложений от 38 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6000Емкость, пФ:...
ЗУМ-СМД Россия	BSS123 Hottech	0.09 ₽	Купить
СЭлКом Россия и страны СНГ	BSS123 Keen Side Владелец ТМ	от 0.55 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ BSS123 /sa/	14 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BSS123	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 150 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pulse Current Idm: 600 мА
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть