Datasheet BSS83 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-143 — Даташит

NXP BSS83

Наименование модели: BSS83

Купить BSS83 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.78 до 30 ₽ 25 предложений от 21 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 160Емкость, пФ:...
Стандарт СИЗ Россия	BSS83PH6327 Infineon	1.78 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSS83PH6327 Infineon	3.82 ₽
ЧипСити Россия	BSS83,235 NXP	30 ₽
ЗУМ-СМД Россия	BSS83P H6327 IC Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-143

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS83
MOSFET N-channel enhancement switching transistor
Rev.

03 -- 21 November 2007 Product data sheet
IMPORTANT NOTICE
Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. http://www.philips.semiconductors.com use http://www.nxp.com http://www.semiconductors.philips.com use http://www.nxp.com (Internet) [email protected] use [email protected] (email) The copyright notice at the bottom of each page (or elsewhere in the document, depending on the version) - © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights reserved is replaced with: - © NXP B.V. (year). All rights reserved. If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail or phone (details via salesaddresses@nxp.

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 50 мА
Drain Source Voltage Vds: 10 В
On State Resistance: 45 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 10 В
Корпус транзистора: SOT-143
Количество выводов: 4
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Capacitance Ciss Typ: 0.6 пФ
Current Id Max: 50 мА
Current Temperature: 25°C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Количество транзисторов: 1
On State resistance @ Vgs = 10V: 45 МОм
Тип корпуса: SOT-143
Power Dissipation Pd: 230 мВт
Рассеиваемая мощность максимальная: 230 мВт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
Voltage Vds Typ: 10 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 2 В
Voltage Vgs th Min: 0.1 В

RoHS: есть