Datasheet BSS83 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-143 — Даташит
Наименование модели: BSS83
 Купить BSS83 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.24 до 86 ₽58 предложений от 33 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 160Емкость, пФ:... | |||
| BSS83PH6327 | от 16 ₽ | ||
| BSS83P Infineon | 18 ₽ | ||
| BSS83,235 NXP | 27 ₽ | ||
| BSS83,215 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-143
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSS83
MOSFET N-channel enhancement switching transistor
Rev.
03 -- 21 November 2007 Product data sheet
IMPORTANT NOTICE
Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. http://www.philips.semiconductors.com use http://www.nxp.com http://www.semiconductors.philips.com use http://www.nxp.com (Internet) [email protected] use [email protected] (email) The copyright notice at the bottom of each page (or elsewhere in the document, depending on the version) - © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights reserved is replaced with: - © NXP B.V. (year). All rights reserved. If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail or phone (details via salesaddresses@nxp.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 мА
- Drain Source Voltage Vds: 10 В
- On State Resistance: 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Корпус транзистора: SOT-143
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 0.6 пФ
- Current Id Max: 50 мА
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 45 МОм
- Тип корпуса: SOT-143
- Power Dissipation Pd: 230 мВт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 230 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
- Voltage Vgs th Min: 0.1 В
RoHS: есть
