Datasheet BSS83 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-143 — Даташит

Купить BSS83 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.94 до 85 ₽ 57 предложений от 29 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 160Емкость, пФ:...
Элрус Россия	BSS83P	от 3.49 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSS83PH6327 Infineon	от 9.97 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BSS83P - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSS83P H6327 IC Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-143

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS83
MOSFET N-channel enhancement switching transistor
Rev.

03 -- 21 November 2007 Product data sheet
IMPORTANT NOTICE
Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. http://www.philips.semiconductors.com use http://www.nxp.com http://www.semiconductors.philips.com use http://www.nxp.com (Internet) sales.addresses@www.semiconductors.philips.com use salesaddresses@nxp.com (email) The copyright notice at the bottom of each page (or elsewhere in the document, depending on the version) - © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights reserved is replaced with: - © NXP B.V. (year). All rights reserved. If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail or phone (details via salesaddresses@nxp.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 мА
• Drain Source Voltage Vds: 10 В
• On State Resistance: 45 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Корпус транзистора: SOT-143
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 0.6 пФ
• Current Id Max: 50 мА
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 45 МОм
• Тип корпуса: SOT-143
• Power Dissipation Pd: 230 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 230 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 0.1 В

RoHS: есть