Datasheet BSS84 - NXP Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSS84
![]() 95 предложений от 38 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -50Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -0,13Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2000Емкость, пФ:... | |||
BSS84 YJ SOT23 | от 0.88 ₽ | ||
BSS84-7-F Diodes | от 1.12 ₽ | ||
BSS84 | 1.45 ₽ | ||
BSS84AKV,115 NXP | 26 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23
Краткое содержание документа:
BSS84
P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
Rev.
06 -- 16 December 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 130 мА
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -130 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Pulse Current Idm: 520 мА
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -50 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
RoHS: есть