Datasheet BUK6207-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 81 А, SOT428 — Даташит
Наименование модели: BUK6207-30C
10 предложений от 7 поставщиков MOSFET, N CH, 30V, 81A, SOT428; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on):... | |||
BUK6207-30C,118 NXP | от 4.68 ₽ | ||
BUK6207-30C Nexperia | по запросу | ||
BUK6207-30C,118 NXP | по запросу | ||
BUK6207-30C,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 81 А, SOT428
Краткое содержание документа:
BUK6207-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
2 -- 1 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 128 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 90 А
- Voltage Vgs Max: 16 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK620730C, BUK6207 30C