Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet BUK6209-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 46 А, SOT428 — Даташит

NXP BUK6209-30C

Наименование модели: BUK6209-30C

16 предложений от 15 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
AiPCBA
Весь мир
BUK6209-30C
NXP
12 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK6209-30C.118
Nexperia
17 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK6209-30C,118
NXP
17 ₽
727GS
Весь мир
BUK6209-30C
Rochester Electronics
от 1 619 ₽

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 46 А, SOT428

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6209-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

2 -- 1 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 8.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
  • Рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 50 А
  • Voltage Vgs Max: 16 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK620930C, BUK6209 30C

На английском языке: Datasheet BUK6209-30C - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 46 A, SOT428

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка