Datasheet BUK6213-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 33 А, SOT428 — Даташит
Наименование модели: BUK6213-30C
![]() 18 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, DPAK N-CH 30V 47A | |||
BUK6213-30C,118 NXP | 20 ₽ | ||
BUK6213-30C NXP | 50 ₽ | ||
BUK6213-30C,118 NXP | 58 ₽ | ||
BUK6213-30C,118 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 33 А, SOT428
Краткое содержание документа:
BUK6213-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
01 -- 4 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 47 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 47 А
- Voltage Vgs Max: 16 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK621330C, BUK6213 30C