Datasheet BUK624R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 90 А, SOT428 — Даташит
Наименование модели: BUK624R5-30C
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
BUK624R5-30C Rochester Electronics | 33 ₽ | ||
BUK624R5-30C.118 Nexperia | 36 ₽ | ||
BUK624R5-30C Rochester Electronics | от 44 ₽ | ||
BUK624R5-30C Nexperia | 98 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 90 А, SOT428
Краткое содержание документа:
BUK624R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
2 -- 17 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 3800µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 158 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-428
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 90 А
- Voltage Vgs Max: 16 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK624R530C, BUK624R5 30C