Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet BUK624R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 90 А, SOT428 — Даташит

NXP BUK624R5-30C

Наименование модели: BUK624R5-30C

16 предложений от 13 поставщиков
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK624R5-30C.118
Nexperia
41 ₽
AliExpress
Весь мир
BUK6215-75C BUK6217-55C BUK6218-40C BUK6226-75C BUK6228-55C BUK624R5-30C до-252
43 ₽
ЧипСити
Россия
BUK624R5-30C,118
NXP
156 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
BUK624R5-30C,118
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 90 А, SOT428

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK624R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

2 -- 17 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 90 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 3800µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
  • Рассеиваемая мощность: 158 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-428
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 90 А
  • Voltage Vgs Max: 16 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK624R530C, BUK624R5 30C

На английском языке: Datasheet BUK624R5-30C - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 90 A, SOT428

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России