Datasheet BUK625R0-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428 — Даташит
Наименование модели: BUK625R0-40C
![]() 14 предложений от 11 поставщиков TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |||
BUK625R0-40C NXP | 17 ₽ | ||
BUK625R0-40C,118 NXP | 32 ₽ | ||
BUK625R0-40C,118 NXP | 102 ₽ | ||
BUK625R0-40C NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428
Краткое содержание документа:
BUK625R0-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
1 -- 17 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 4.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 158 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 90 А
- Voltage Vgs Max: 16 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK625R040C, BUK625R0 40C