Datasheet BUK625R0-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428 — Даташит

Наименование модели: BUK625R0-40C
Купить BUK625R0-40C на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 88 ₽11 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 40V 90A DPAK. N-Channel 40V 90A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| BUK625R0-40C NXP | 17 ₽ | ||
| BUK625R0-40C,118-NXP Rochester Electronics | 33 ₽ | ||
| BUK625R0-40C,118-NXP NXP | 81 ₽ | ||
| BUK625R0-40C,118 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 87 А, SOT428
Краткое содержание документа:
BUK625R0-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
1 -- 17 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 90 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 4.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Рассеиваемая мощность: 158 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 90 А
- Voltage Vgs Max: 16 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK625R040C, BUK625R0 40C

Купить BUK625R0-40C на РадиоЛоцман.Цены




