Datasheet BUK652R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78 — Даташит
Наименование модели: BUK652R0-30C
Купить BUK652R0-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 216 до 11 044 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH TRENCH TO220AB | |||
| BUK652R0-30C,127 NXP | 216 ₽ | ||
| BUK652R0-30C,127 NXP | 216 ₽ | ||
| BUK652R030C.127 | 11 044 ₽ | ||
| BUK652R0-30C,127 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK652R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 1.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 306 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
- Fairchild - FDMC8200
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK652R030C, BUK652R0 30C
