Datasheet BUK652R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 — Даташит
Наименование модели: BUK652R7-30C
Купить BUK652R7-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 104 до 7 289 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков N-channel TrenchMOS intermediate level FET | |||
| BUK652R7-30C127 NXP | 104 ₽ | ||
| BUK652R7-30C,127 NXP | 117 ₽ | ||
| BUK652R7-30C | от 842 ₽ | ||
| BUK652R7-30C,127 Rochester Electronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK652R7-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
02 -- 16 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2.72 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 204 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
- Fairchild - FDMC8200
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK652R730C, BUK652R7 30C
