Datasheet BUK653R5-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT78 — Даташит
Наименование модели: BUK653R5-55C
![]() 17 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3Pin(3+Tab) TO-220AB | |||
BUK653R5-55C NXP | 68 ₽ | ||
BUK653R555C.127 | 7 473 ₽ | ||
BUK653R5-55C,127 NXP | по запросу | ||
BUK653R5-55C NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT78
Краткое содержание документа:
BUK653R5-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
1 -- 27 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 3.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 263 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK653R555C, BUK653R5 55C