Datasheet BUK653R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 — Даташит

Купить BUK653R7-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 84 до 4 968 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
AiPCBA Весь мир	BUK653R7-30C,127 NXP	84 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK653R7-30C,127 NXP	84 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BUK653R730C.127	4 968 ₽	Купить
Utmel Весь мир	BUK653R7-30C,127 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK653R7-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

3 -- 13 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 3.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 158 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
• Fairchild - FDMC8200
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK653R730C, BUK653R7 30C