Datasheet BUK663R5-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT404 — Даташит
Наименование модели: BUK663R5-55C
![]() 11 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор N-CHAN 55V 120A | |||
BUK663R5-55C NXP | 80 ₽ | ||
BUK663R5-55C NXP | 152 ₽ | ||
BUK663R5-55C,118 Nexperia | по запросу | ||
BUK663R5-55C NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT404
Краткое содержание документа:
D2 PA K
BUK663R5-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
2 -- 23 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 2.86 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 263 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK663R555C, BUK663R5 55C